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10納米工藝門檻雖然金貴，依然只是一個過渡工藝，真正的長壽命是7納米。臺積電4月份已經(jīng)宣布試產(chǎn)7納米工藝，2018年初就會正式量產(chǎn)，高通驍龍845、華為麒麟980、蘋果A12將率先通過。 　　這意味著2018年，旗艦手機芯片將進入7納米時代。高通的下一代處理器“驍龍845（代號Napali）”已經(jīng)進入研發(fā)階段，將采用7納米工藝制造，臺積電正在和三星搶單，在20納米之后，高通也將重新回歸臺積電懷抱。 　　然而，高通受制于和三星的關(guān)系，以及高額的流片成本，與臺積電的合作還未明朗。驍龍845預(yù)定2018年初問世，和前代相比，將提升25~35%效能，首發(fā)機種將會是三星電子的Galaxy S9旗艦手機。 　　7納米已經(jīng)試產(chǎn)，英特爾落后兩代 　　目前，臺積電宣布7納米制程已進入試產(chǎn)階段，2018年將步入大規(guī)模量產(chǎn)階段。有消息指出，目前與臺積電合作的30家預(yù)定客戶當(dāng)中，有一半客戶計劃以7納米制程打造高性能芯片，包括聯(lián)發(fā)科、華為旗下海思半導(dǎo)體，以及輝達（Nvidia）屆時都將采用臺積電即將生產(chǎn)的7納米制程。 　　并且，由于10納米設(shè)備和7納米設(shè)備相通，縮短了下一代7納米的學(xué)習(xí)曲線，臺積電將于2019年推出支持極紫外光(EUV)微影技術(shù)的7+納米，2020年則5納米可望進入量產(chǎn)。 　　按照臺積電給出的規(guī)劃，2018年將開始大規(guī)模鋪開7nm工藝，不過第一代不會用上EUV工藝，而2019年的第二代增強型7nm節(jié)點才會用上EUV工藝，而蘋果是后者的潛在大客戶。 　　不過，今年所有處理器還都集中在10nm上，已經(jīng)到來的驍龍835、還有A11、麒麟970以及聯(lián)發(fā)科的Helio X30等。按照華為的節(jié)奏，基于10nm工藝的麒麟970要等到下半年臺積電一切就緒才會提上議程，當(dāng)然那個時候Mate 10將會毫無懸念首發(fā)麒麟970處理器。 　　相對于臺積電與三星都積極布局7納米制程，英特爾（Intel）在制程技術(shù)上則采取較保守的態(tài)度。就連自家第8代酷睿處理器仍沿用14納米制程，對比三星與臺積電對制程技術(shù)激烈競爭到落差2代的情況下，臺積電董事長張忠謀曾表示，在7納米先進制程的競爭當(dāng)中，臺積電的對手只有三星。 　　三星則打算在4月份加碼投資10納米生產(chǎn)線，還計劃在2018年打造一座全新的7納米半導(dǎo)體廠，策略是要搶在競爭對手之前，把超精細的制程技術(shù)研發(fā)完成。 　　　早前，臺積電在ISSCC敘述了一款256Mbit的7納米工藝SRAM測試芯片，儲存單元區(qū)域達到0.027mm見方，如該公司內(nèi)存部門總監(jiān)Jonathan Chang在簡報中所言：“是今年試產(chǎn)出的最小SRAM�！� 　　而產(chǎn)生的SRAM宏單元(macro)會是臺積電的16納米工藝版本之0.34倍，采用了7層金屬層，整體裸晶尺寸則是42mm見方；Chang的簡報中，關(guān)鍵內(nèi)容是這顆SRAM幾乎已經(jīng)“全熟”，他表示：“我們現(xiàn)在已經(jīng)能以非常非常健康的良率生產(chǎn)…與我們的設(shè)計目標相符。” 　　三星的進展則更偏向研究，開發(fā)的部分比較少；該公司打造了8 Mbit測試SRAM，只能看到未來商用7納米工藝的一小部分。 　　該芯片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星開發(fā)了一種創(chuàng)新的維修(repair)工藝，在現(xiàn)有的步進機以及EUV設(shè)備上都測試過，而并不令人驚訝的，EUV的效果比較好；一般來說維修并不是工藝，因此這項成果對于三星正在進行的7納米工藝EUV微影技術(shù)開發(fā)情況，能透露的不多。 　　產(chǎn)業(yè)專家們大多認為，EUV將能在2020年左右準備好應(yīng)用于某些關(guān)鍵層的制造；三星在去年底表示，將在7納米工藝采用EUV微影，但并沒有透露其應(yīng)用的局限程度。 　　三星是否會在所謂的7納米工藝落后臺積電一年、兩年甚至三年？結(jié)果仍有待觀察。 三星可以在任何時候決定并根據(jù)現(xiàn)實情況定義其EUV使用策略，而或許該公司屆時也會在營銷語言上說他們家的7納米工藝更先進，因為用了EUV。